买卖IC网 >> 产品目录 >> CFY25-20 (S) 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

CFY25-20 (S)

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
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制造商 Infineon Technologies
技术类型 MESFET
频率 12 GHz
增益 9 dB
噪声系数 1.9 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 40 mS
漏源电压 VDS 5 V
闸/源击穿电压 - 5 V to 0.5 V
漏极连续电流 80 mA
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 250 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Micro-X
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